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碳纳米管电子输运性

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单壁碳纳米管存在非常有发展前景的电子输运性质。碳纳米管应用于制造场效应晶体管，可获得比硅基器件更高的驱动电流和跨导。然而一个主要悬而未决的问题就是接触电阻对传输性能的影响。这方面已有大量的实验和理论工作，然而实验工作只是局限于测量以源-漏间的电压和门电压为函数的电流，却没有提供对碳纳米管掺杂行为带来的电子空间扩展方面的信息。

研究人员设计了一种能够对单壁碳纳米管同时进行扫描隧道谱分析和电子输运性质测量的器件。当碳纳米管悬挂在源极和漏极之间，进行电子输运测量的同时，可以用扫描隧道显微镜（STM）的探针探测碳纳米管的电子局域密度，从而演示碳纳米管中电子自旋简并态的情况，绘制在金属电极存在情况下碳纳米管能带的空间变化。通过同时进行的扫描隧道谱分析和电子输运测量，研究人员发现源极和漏极间的电子态扩展了，从而说明了接触电阻的调制作用。研究人员发现源漏电极的耦合极大地取决于扫描探针的位置，这显示了接触作用在决定单壁碳纳米管的电子输运性质方面起了至关重要的作用。同样的器件结构设计可借鉴用于其他单分子电子学器件。

责任编辑： 整理时间：2008-8-12 8:41:53

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